MGD623N NPN Transistör Özellikleri
MGD623N, yüksek performanslı bir NPN transistördür. Genellikle amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde kullanılan bu transistör, güvenilir çalışma ve yüksek verimlilik sunar.
Temel Özellikleri:
Tip: NPN
Model: MGD623N
Paket: TO-92
Özel Özellikler:
- Yüksek kazanç (hFE)
- Düşük gürültü seviyesi
- Hızlı anahtarlama özelliği
- Düşük doyum voltajı
- Geniş çalışma sıcaklığı aralığı
Teknik Özellikler:
- Kolektör-Baz Voltajı (VCBO): 60V
- Kolektör-Emitör Voltajı (VCEO): 50V
- Emitör-Baz Voltajı (VEBO): 5V
- Kolektör Akımı (IC): 500mA
- Güç Dissipasyonu (PD): 625mW
Uygulama Alanları:
- Amplifikasyon devreleri
- Anahtarlama devreleri
- Osilatör devreleri
- Güç yönetimi devreleri
- Endüstriyel kontrol sistemleri
- Otomotiv elektroniği
MGD623N transistör, elektronik devrelerde güvenilir performans sunan yüksek kaliteli bir bileşendir. Düşük gürültü seviyesi ve yüksek kazanç özellikleri sayesinde hassas amplifikasyon uygulamaları için idealdir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve dayanıklı yapısı ile zorlu endüstriyel ortamlarda bile güvenle kullanılabilir.
